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电子元器件详细资料 » IC[25955] » NP82N04NUG-S18-AY
型号:NP82N04NUG-S18-AY类别:FET - 单制造商:Renesas Electronics America
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA描述:MOSFET N-CH 40V 82A TO-262

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
系列-
制造商Renesas Electronics America
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C82A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4.2 毫欧 @ 41A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs160nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds9750pF @ 25V
功率_最大1.8W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装TO-262
包装管件

供应商

深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859

NP82N04NUG-S18-AY相关型号

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